高通将在2026年末跟进苹果步伐,发布首款2纳米芯片组——骁龙8 Elite Gen 6,直接接替骁龙8 Elite Gen 5。最新爆料称该芯片将配备LPDDR6内存UFS 5.0存储,带来全面升级。但传闻中提及芯片将采用台积电更先进的N2P工艺,这一说法此前已被辟谣。

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根据台积电2纳米量产时间表,其N2晶圆将优先保障苹果高通联发科等客户的大规模需求。微博博主数码闲聊站表示,骁龙8 Elite Gen 6在制程工艺上将超越苹果A20A20 Pro,采用台积电2纳米N2P工艺而非初代N2版本。尽管有观点认为苹果已锁定台积电超半数2纳米产能以压制高通联发科等竞争对手,但我们仍需审视这家半导体巨头的生产规划。

台积电预计2025年末实现大规模量产为例,其2026年月产能目标将达10万片晶圆。按N2晶圆单价3万美元计算,即便骁龙8 Elite Gen 6能获得充足供应,高通采用N2P工艺的成本也将更高。另一位爆料人定焦数码则明确表示,2026年苹果高通联发科仅会发布N2工艺芯片,基本排除了直接升级至N2P工艺的可能性。

至于LPDDR6内存UFS 5.0存储的支持,这两项升级确实存在实现可能。随着终端AI运算日益普及,对内存与存储的性能要求将急剧攀升,这势必推动高通等厂商为旗舰芯片引入更强大高效的规范标准。当然,最终是否搭载LPDDR6内存UFS 5.0闪存仍取决于高通手机合作伙伴的决策,但关于制程工艺直接跨越整代升级的论断,我们对该说法持明确反对立场。


文章标签: #高通 #2纳米 #LPDDR6 #UFS50 #台积电

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