在2025年全球峰会上，SK海力士（SK hynix）公布了面向人工智能应用的AI NAND战略及AIN存储产品。尽管传统AI系统一直采用为企业服务器设计的存储设备，但SK海力士认为专为AI打造的基于NAND的存储解决方案——AIB P、AIN B与AIN D——将更好地满足AI服务器及集群需求，并实现更高的能效表现。
未来，SK海力士将推出三大产品系列：面向高密度存储的AIN D、针对高性能存储的AIN P，以及基于高带宽闪存（HBF）技术、可搭载于HBM内存旁的超高性能存储设备AIN B。每个产品系列均通过独特技术组合处理特定工作负载，在能力与成本间取得平衡，以优化从数据采集、归档到训练、推理的全流程AI运算。
AIN D解决方案采用3D QLC NAND闪存，旨在以最低比特成本存储海量AI数据集。该产品设计目标为PB级密度，远超现有TB级固态硬盘，同时保留快速访问与高吞吐量优势。SK海力士计划以此替代近线硬盘。
AIN P则通过重构SSD控制器与3D NAND闪存，专为AI推理应用的性能需求打造。其针对向量数据库检索、细粒度随机读取等场景，以512字节粒度最大化输入输出操作效能。SK海力士副总裁金春成（Chunsung Kim）表示：“该架构在PCIe 6.0接口下可实现约5000万次512字节IOPS，达传统企业级PCIe Gen6 SSD的七倍。概念验证样品将于2025年底以E3规格亮相，支持1亿次IOPS的量产产品计划于2027年末问世。”
系列中最先进的AIN B基于闪迪（SanDisk）研发并联合标准化的HBF技术，将HBM级带宽与NAND密度相结合，使AI系统无需增配加速器或HBM即可处理更多推理批次或更长令牌序列。目前HBF标准尚未确立，故具体性能数据与上市时间仍未公布。
峰会期间，两家公司联合举办HBF Night技术交流活动，汇聚全球科技企业的工程师与架构师共商生态建设。SK海力士总裁兼首席开发官安炫（Ahn Hyun）强调：“通过此次峰会，我们展现了SK海力士作为全球AI内存解决方案领导者的现状与未来。在新一代NAND存储市场中，我们将与客户及伙伴紧密协作，成为关键推动力量。”
