据报道，中国最大内存制造商已取得重大突破，向华为等国内人工智能巨头交付HBM3样品，以应对HBM供应危机。长鑫存储计划在2027年前将HBM3E引入中国，大幅抢占DRAM市场需求。
多年来，中国一直面临HBM供应瓶颈，这阻碍了华为等企业扩大人工智能芯片生产规模。截至近期，国内企业始终依赖出口管制前建立的HBM库存，未能掌握足够的技术与产能。据DigiTimes报告披露，长鑫存储已成功向华为提供关键HBM3样品，此举被视为今年实现大规模量产的前奏。
分析师指出，尽管长鑫存储仍落后全球顶尖企业三至四年，但其进展标志着中国在提升半导体自主性、打破国际DRAM巨头长期垄断方面迈出重要一步。
虽然在技术层面存在差距，但长鑫存储凭借完善的产线布局，仍在全球DRAM产业中占据关键地位。该公司今年DRAM产能持续攀升，预计国内工厂月产能将达23万至28万片晶圆。充足的产能是长鑫存储攻克本土HBM技术的重要保障，目前华为、寒武纪等人工智能企业亟需技术突破。
相较于SK海力士等企业，长鑫存储仍存在技术代差。该公司计划于2027年将HBM3E引入中国，而届时HBM4预计将成为主流标准。此外，长鑫存储在消费级内存领域也已确立领先地位，率先启动DDR5模组量产，宣称良品率约达80%。更关键的是，该中国内存巨头拟于2026年第一季度启动的首次公开募股计划，将为其发展注入强劲动力。
在芯片制造之后，HBM一直是中国人工智能市场的主要障碍。长鑫存储旨在通过本土化生产高端技术产品填补这一空白。此举清晰展现了北京在人工智能计算领域持续攻坚的决心，正值中国逐步摆脱西方技术体系的战略转型期。
