三星可能已开始大规模生产用于Galaxy S26系列的Exynos 2600芯片，但该公司的2纳米GAA工艺良率仍存疑团——主要源于我们持续获取的矛盾数据。最初有报道称这家韩国巨头已成功启动旗舰SoC的大规模生产，良率达到50%，但最新消息称初始晶圆产量仅为1.5万片，有业内消息人士直指Exynos 2600“尚未成熟”。
根据最新晶圆生产信息，三星2纳米GAA工艺的Exynos 2600良率确为50%。尽管三星已将良率目标提升至70%，但Dealsite关于初始晶圆产量的报告意味着，仅有30%的Galaxy S26设备能搭载这款2纳米GAA芯片。此前Exynos 2600在内部测试中表现惊艳，性能远超A19 Pro与骁龙8 Elite Gen 5时，曾有细节表明半数Galaxy S26将采用该芯片。
遗憾的是，最新数据显示骁龙8 Elite Gen 5将成为Galaxy S26的主力配置，三星仍需提升Exynos 2600的良率。针对配置方案，熟悉三星计划的业内人士评价首款2纳米GAA芯片“为时尚早”，无法全面覆盖三款旗舰机型。早前有分析师宣称Galaxy S26 Ultra也会搭载Exynos 2600，但根据最新情报，这一说法与事实相去甚远。
除Exynos 2600外，三星还计划在相同2纳米GAA节点上启动特斯拉AI6芯片的试产。公司代表表示“目标是在届时将良率提升至50%”，这几乎承认了新一代光刻技术进展未达预期。不过半导体领域知情人士指出，Exynos 2600与AI6都将成为重要参考样本，有助于三星争取高通等客户。
目前这家圣地亚哥企业正在评估骁龙8 Elite Gen 5的2纳米GAA样品，但受低良率影响，高通可能会暂缓下单。所幸三星仍有充足时间改进工艺，未来与台积电展开竞争。
