新一代SK海力士DDR5内存已现身网络，据悉其标识代码为“X021”，部件编号为新型“AKBD”。这款第二代3Gb A-Die内存芯片在Facebook群组“Clock'EM UP”中由十铨科技的Kevin Wu发布。根据@unikoshardware透露，X021标识代表第二代3Gb A-Die颗粒，将取代早期DDR5模块采用的3Gb M-Die颗粒。
虽然SK海力士尚未就新型3Gb DDR5 A-Die发布官方声明，但泄露图片为我们提供了线索。根据SK海力士命名规则，EB、GB、HB字母组合分别对应4800、5600和6400 MT/s的JEDEC标准速率。因此新型“KB”编号很可能延续这一规律，指向7200 MT/s速率——这一点已获Kevin在回复中确认。
这与英特尔未来平台路线图相契合：Arrow Lake Refresh与Panther Lake处理器预计将支持7200 MT/s的DDR5速率。相较Raptor Lake的DDR5-5600与Arrow Lake的DDR5-6400标准实现显著提升，意味着新型A-Die芯片可能成为下一代英特尔处理器高频内存套件的核心基础。
有用户指出，该模块采用8层PCB设计，可能影响高频稳定性。尽管采用新型A-Die芯片，但8层PCB难以维持8000 MT/s以上速率——限制因素并非芯片本身，而是低层数PCB的信号完整性与供电能力。
高端DDR5内存套件通常采用10层甚至12层PCB以实现更高速率。目前发烧友已突破12,000 MT/s大关，近期更正式超越13,000 MT/s纪录。内存制造商需将新型A-Die“AKBD”芯片与10层/12层PCB结合，方能充分发挥新一代芯片性能优势。
