2纳米GAA（全环绕栅极）晶圆已于九月下旬启动大规模生产，该技术将率先应用于即将推出的Exynos 2600处理器。基于三星代工业务的积极进展，这家制造商的下一代制程似乎已准备好进行更大规模部署。在总统办公室会议上，三星设备解决方案部门总裁兼首席技术官宋在赫（Song Jae-hyuk）就这一突破性进展发表了积极评论。
总统办公室政策室长金容范（Kim Yong-beom）主持召开了半导体行业议题研讨会，期间宋在赫对2纳米GAA工艺给予高度评价。这家韩国巨头的代工业务历经数年低迷后，如今终于迎来转机。此次会议中，该公司高管透露了凭借2纳米GAA制程夺取全球代工市场榜首的雄心。据此前报道，三星已完成第二代2纳米GAA工艺的基础设计，第三代技术（SF2P+）预计在两年内完成开发。
这一系列进展引起了SK海力士（SK hynix）社长宋贤俊（Song Hyun-jong）的关注，他认为该技术将成为行业关键转折点。同时他强调，企业除了要应对技术攻关和人才储备等挑战外，还需政府提供强力支持以追赶台积电（TSMC）。
最新报告显示，三星已将2纳米GAA的良率目标从50%提升至年底前的70%。一位匿名知情人士表示，该公司有望达成既定目标，并指出：“随着2纳米芯片全面量产临近，总统办公室会议期间的表态意味着三星正顺利实现其制程良率与芯片性能目标”。
作为首款采用2纳米GAA的芯片，Exynos 2600在初期内部测试中展现出卓越性能，在多项测试中全面超越A19 Pro与骁龙8 Elite Gen 5。尽管商用产品的实际表现可能存在差异，但业界期待三星2纳米GAA技术能带来实质性的突破。
