据传，中国内存制造商长鑫存储（ChangXin Memory Technologies）正筹备于2026年第一季度上市。该公司已于今年7月与中国国际金融和中信建投证券两家国有券商签约启动流程。据悉，长鑫存储计划通过此次IPO募集200亿至400亿元人民币（约合28亿至56亿美元），不过具体细节尚未正式公布，仍可能存在变数。
此次IPO计划正值人工智能热潮导致全球内存供应链紧张之际，行业预计芯片短缺和价格上涨态势将持续十年。与此同时，长鑫存储有望在中国市场取代美光（Micron）的地位——后者在被中国禁止参与“关键信息基础设施”建设两年后，据传正逐步退出中国市场。
该消息传出时，中国半导体板块股价持续走高，中证半导体指数自1月以来已累计上涨49%。随着中美贸易摩擦持续，英伟达（Nvidia）等企业在中国市场份额萎缩，众多本土投资者纷纷押注致力于实现半导体自给自足目标的芯片制造商。美国已于2024年12月禁止对华出口HBM，这意味着中国AI芯片制造商必须依赖本土供应链。目前长鑫存储是国内仅有的三家为AI芯片制造商生产HBM芯片的企业之一，对中国技术突破具有战略意义。
据悉，长鑫存储在2023至2024年期间资本支出达60亿至70亿美元，预计2025年还将增加约5%的投入，其中包括在上海建设计划于2026年底投产的HBM后道封测工厂。尽管投入巨大，这家中国芯片制造商仍落后国际竞争对手数年：美光已于今年6月开始向客户送样HBM4，而韩国芯片制造商SK海力士（SK hynix）据称已完成新一代存储芯片研发并准备量产。
分析师指出，长鑫存储计划于2026年启动HBM3量产，这意味着其技术落后竞争对手约四年。但这对中国半导体产业仍是重要突破——成立于2016年的长鑫存储获得中国政府支持，而当前全球三大内存制造商SK海力士、三星（Samsung）和美光均已深耕行业数十年。
