三星Galaxy S25 FE与其前代产品S24 FE搭载了相同的三星Xclipse 940图形处理器。然而，基于初始固件测试显示，S25 FE的降频现象明显比前代机型更为频繁。
三星Galaxy S25 FE所采用的Exynos 2400芯片组与三星Galaxy S24 FE的Exynos 2400e在架构上高度一致：
中央处理器——两款设备均采用完全相同的核心架构：
4个主频1.95GHz的Cortex-A520能效核心
3个主频2.60GHz的Cortex-A720平衡核心
2个主频2.90GHz的Cortex-A720性能核心
1个Cortex-X4超大核（S25 FE主频3.21GHz，S24 FE主频3.11GHz）
图形处理器——两款设备均配备主频1095MHz的三星Xclipse 940显卡，且均采用4纳米制程工艺。
值得关注的是，虽然三星Galaxy S25 FE的芯片架构与S24 FE几乎如出一辙（仅超大核频率略有提升），但根据Android Authority的初始固件测试，S25 FE不仅升温迅速，其性能调控策略也远比前代机型更为激进。
这一异常结果令人费解——特别是考虑到S25 FE实际配备了更大面积的均热板。在图形处理器压力测试中，S25 FE仅能维持59%至66%的峰值性能，而S24 FE则能稳定保持71%至72%的峰值性能表现。
目前针对这一异常现象存在两种可能性：其一可能是三星初始固件尚未优化完善，后续更新将提升运行效率；其二或许是手机内置的均热板未达到设计预期效能。我们将持续关注后续进展，及时为读者带来最新动态。
