新思科技在移动内存领域取得重大突破，宣布基于台积电N2P工艺节点的LPDDR6 IP已完成芯片点亮。
芯片点亮指新芯片首次通电测试，本次成功标志着新思科技已研发出符合JEDEC标准的LPDDR6技术授权模块，实测带宽高达86 GB/s。这是业界首批将台积电N2P工艺集成至LPDDR6 IP的案例之一。
该IP包含控制器与物理接口两大核心组件：控制器主要集成JEDEC协议引擎、时序控制及低功耗状态管理功能；而N2P工艺则通过其金属堆栈与I/O库，为物理接口的模拟电路与I/O电路提供支撑。
LPDDR6控制器需实现高密度与高速度以确保精确时序收敛，N2P工艺凭借卓越的功耗-性能-面积优势，使内存具备更低比特能耗与更小物理尺寸，助力制造商将其应用于端侧AI与高能效平台领域。
速度方面，该方案实测带宽达86 GB/s，符合JEDEC单引脚10.667 Gb/s的速率标准。理论单引脚峰值速率可达14.4 GB/s，对应带宽115 GB/s。相较于LPDDR5，LPDDR6在台积电N2P技术驱动下将实现代际飞跃，预计明年成为主流并树立新行业标准。
