在OCP全球峰会上，三星成为首批宣布HBM4E研发进展的存储制造商之一。从现有信息来看，新一代内存将实现跨越式的代际提升。
这款HBM4E产品有望成为当前最快的存储类型之一，每堆栈引脚速度将达到13 TB/s。这家韩国巨头近期在其HBM业务上动作频频，特别是在与英伟达（NVIDIA）和超威半导体（AMD）就存储产品达成关键合约后。此次峰会上，三星展示了其HBM产品路线图，详细介绍了HBM4与HBM4E技术。其中HBM4E工艺计划实现每堆栈13 Gbps的传输速率，带宽可达3.25 TB/s。
三星HBM4E模块还具备卓越的能效表现，据称较现有HBM3E产品提升近一倍。更值得注意的是，该公司的HBM4工艺已实现11 Gbps的引脚速度，显著超越JEDEC等标准组织制定的规范。这一突破源于英伟达要求提升HBM4解决方案以增强其Rubin架构性能，而据当地媒体报道，三星成为首家实现该技术突破的企业。
曾在HBM3E领域落后于竞争对手的三星电子，自HBM4研发初期就确立了超越同行的带宽目标。当前其在HBM4领域的速度竞争已接近成功，该公司正计划通过快速推进下一代技术实现市场逆转。
除性能提升外，据报道三星正在为英伟达等客户制定极具吸引力的HBM4供应价格体系。由于HBM4关键部件采用4纳米半导体工艺，三星凭借自有晶圆代工部门可全面掌控存储模块的利润空间。
为确立其主流HBM供应商地位，这家韩国巨头据称将采取薄利多销策略，这意味着SK海力士（SK hynix）与美光（Micron）将面临严峻竞争。行业预计HBM4E将于2026年初随HBM4量产同步亮相市场。
