近期，高通（Qualcomm）发布的骁龙8 Elite Gen 5芯片采用的是台积电（TSMC）的3纳米“N3P”工艺制造。但这并不意味着三星（Samsung）会坐视不理——最新报道称，基于2纳米GAA工艺打造的旗舰芯片组样品已送交评估。鉴于这家韩国巨头近期已开始大规模生产Exynos 2600，这一最新进展或许正是该公司期待已久的突破。
三星近期的举动可能促成高通采用双源采购策略，但这款骁龙8 Elite Gen 5样品仍需经过大量评估。据@Jukanlosreve披露的《新每日经济》报道透露，三星在“达到内部质量标准”后，才向高通提供了骁龙8 Elite Gen 5样品。尽管形势积极，但这并不完全意味着三星将获得全面投产的许可。
首先需要满足多项要求。由于骁龙8 Elite Gen 5是高通的顶级芯片，该公司很可能进行严格测试，包括能效、性能、发热、良率与可靠性等环节。全部测试通过后，三星将进入试产阶段——据称其在数月前为Exynos 2600已完成该阶段。
遗憾的是，由于高通有望成为三星的长期客户，这家韩国代工厂的征程将漫长而艰难：试产周期可能长达六个月至一年。若高通对样品质量不满，可随时取消与三星的所有生产合约。
若骁龙8 Elite Gen 5符合要求，我们或许将见证多年来首次实现双源采购合作。就现状而言，增加供应商势在必行——据悉，高通与联发科（MediaTek）为骁龙8 Elite Gen 5与天玑9500（Dimensity 9500）向台积电支付了高达24%的溢价，导致两款SoC均比前代产品更昂贵。
明年的情况仍不容乐观。据传台积电的2纳米N2晶圆单价达3万美元，客户将面临更沉重的财务压力，最终被迫提高产品售价。
一位行业相关人士指出，三星始终因良率问题备受指责，而非其“核心技术”。一位匿名业内人士分析了为何三星未能赢得客户，而台积电却抢占市场主导。近期报道显示，尽管三星正在量产Exynos 2600，其良率仅50%，理想值应为70%。
这表明问题从未出在三星的核心技术上，而在于良率与进度管理。高通接收基于2纳米GAA技术的骁龙8 Elite Gen 5样品，对三星而言是首次重大考验。该业内人士表示，若三星成功突破，2纳米代工技术的竞争格局或将远比当前更加激烈。
