早前报道提到，三星计划在9月下旬启动Exynos 2600的全面生产。如今临近月底，最新动态显示该公司已启动首款2纳米GAA系统级芯片（又称“SF2”）的量产计划。根据最新信息，预计明年年初发布的Galaxy S26系列将搭载双旗舰芯片组。
虽然当前良品率仍处于“不理想”区间，但相较于Exynos 2600试产阶段的数据，三星已取得显著进步。据《The Bell》报道，“出厂”阶段最早将于10月下旬或11月初启动，恰逢Exynos 2600大规模量产之后。所谓“出厂”是指晶圆完成所有制造工序后离开晶圆厂的过程。试产阶段良品率约为30%，而最新报告显示该数字已提升至50%。
需注意，即便达到50%的良品率，对志在向客户销售SF2晶圆的三星而言仍远未达标。所幸现阶段Exynos 2600将专供Galaxy S26系列，三星尚有时日提升良率以挽回流失的客户。
相较于同样被称为3纳米GAA的SF3工艺，2纳米GAA技术可实现12%的性能提升与25%的能效优化。报告指出，韩国本土市场与欧洲市场的Galaxy S26将搭载这款2纳米GAA芯片，而美国与中国市场则采用骁龙8 Elite Gen 5平台。
根据既往报道，三星正全力投入2纳米架构研发，第二代基础设计已于今年6月完成。此外，第三代2纳米GAA工艺（又称SF2P+）预计将在两年内落地，反映出三星对该系列晶圆市场需求的热切预期。
按当前量产进度，三星或于今年晚些时候正式发布Exynos 2600，届时将与骁龙8 Elite Gen 5、天玑9500及苹果A19 Pro展开正面竞争。
