骁龙8 Elite Gen 5是高通（Qualcomm）最后一代采用3纳米工艺打造的旗舰芯片组，这意味着这家圣地亚哥公司将转向台积电（TSMC）更先进的2纳米节点。不过此次选用的并非N2版本，而是N2P制程。多家报道反复强调，这一工艺转换成本高昂，或将成为高通计划在明年的骁龙8 Elite Gen 6及其继任者骁龙8 Elite Gen 7两代产品中持续采用该技术的重要原因。
目前尚未确认高通是否会为骁龙8 Elite Gen 6采用双源采购策略，尽管三星（Samsung）的2纳米GAA工艺已展现潜力。
根据爆料者@reikaNVMe透露，高通计划在骁龙8 Elite Gen 6与骁龙8 Elite Gen 7上持续采用台积电的2纳米N2P技术。值得关注的是，这家台湾半导体制造商原定于今年末启动2纳米N2节点量产，但最新传闻表明高通意图为连续两代产品锁定更先进的制程。
技术层面，台积电的2纳米N2P架构沿用N2设计规则，但在相同时钟频率下可实现5%性能提升或5%功耗降低。高通似乎希望通过提升核心频率，在保证能效升级的同时为两代旗舰芯片榨取极致性能。
值得注意的是，该爆料未提及高通与三星就2纳米GAA工艺达成合作。据悉三星将在今年末为Galaxy S26系列推出首款采用该制程的Exynos 2600处理器。若与三星达成合作，高通在明年采购N2P晶圆时将获得更多与台积电议价的筹码。
此前为获取3纳米N3P晶圆，高通与联发科（MediaTek）为骁龙8 Elite Gen 5和天玑9500（Dimensity 9500）支付了高达24%的溢价。面对台积电2纳米工艺预估50%的涨价幅度，芯片制造商亟需通过双源采购策略大幅压缩成本。
目前三星已完成第二代2纳米GAA节点（即SF2P）基础设计，未来或有望获得高通订单。建议读者审慎看待当前传闻，以待后续进展。
