AMD 最新的这项专注于DRAM的专利，并非通过采用更先进的DRAM芯片，而是通过改变模块上的逻辑设计，有效实现了内存带宽的翻倍。
硬件层面的升级总是存在局限性，因为它伴随着升级架构或改进逻辑/半导体利用率的“开销”。然而，通过这项新专利，AMD采用了一种相对更直接的技术，有效实现了DDR5内存带宽输出的翻倍，该公司将此项技术称为“高带宽DIMM”（HB-DIMM）。该专利并非只专注于DRAM工艺升级，而是集成了RCD（寄存时钟驱动器）和数据缓冲器芯片来提升内存带宽，因此这是一项侧重于DIMM模块的变革。
我们来审视一下这项技术的具体细节。专利显示，HB-DIMM技术的重点不在于DRAM本身的改进；通过简单的重新定时和复用技术，内存带宽从每引脚6.4 Gb/s提升至每引脚12.8 Gb/s，有效实现了输出翻倍。AMD实质上是利用RCD，通过板载数据缓冲器将两个常速的DRAM数据流合并成一个更快的流向处理器的数据流，这使得在分配给主机系统时带宽得以翻倍。
这项应用主要面向AI及其他受带宽限制的工作负载，但专利还提到了另一个关于APU/集成GPU的有趣实施方案。这涉及使用两种不同的“内存插槽”：标准的DDR5 PHY和一个附加的HB-DIMM PHY。较大的内存池将来自DDR5，而较小的内存池则旨在通过上述HB-DIMM方法实现更快速的数据移动。
对于APU而言，这种方法将最适用于设备端AI，因为在系统处理需要大量数据流的AI任务时，更快的响应是优先考虑的因素。随着边缘AI在传统系统中变得越来越重要，这种方法将为AMD带来巨大优势。这种方法唯一的缺点可能是实现高内存带宽所需的功耗增加，这同样需要有效的冷却机制。
AMD是内存领域的领先公司之一，对于不了解的人来说，AMD曾与SK海力士（SK Hynix）合作设计了HBM，这显示出他们在该领域的专业性。HB-DIMM方法无疑前景广阔，因为它无需依赖DRAM芯片本身的进步就能有效实现内存带宽翻倍。
