美光（Micron）已确认将与台积电（TSMC）合作，生产其下一代HBM4E内存的基础逻辑晶粒，目标量产时间为2027年。该公司在9月23日举行的第四季度财报电话会议上宣布了这一消息，为其本就紧凑的技术路线图增添了更多细节。
美光目前正在交付早期HBM4样品，其每引脚速度超过11 Gbps，可提供高达2.8TB/s的带宽，并且已锁定了2026年大部分HBM3E的供应协议。但最重要的信息是，美光将把标准及定制HBM4E逻辑晶粒的制造任务交由台积电完成，这为针对人工智能工作负载定制内存解决方案打开了大门。
这一决定也使美光稳固置身于下一波人工智能系统设计的中心，这与之前关于美光、SK海力士（SK hynix）和三星（Samsung）的HBM路线图报道相符，也与早前关于美光如何将HBM4E视为定制化平台的分析一致。
业界对HBM的发展节奏已很熟悉：当前是HBM3E，2025至2026年是HBM4，大约在2027年将是HBM4E。每一代新产品都带来更高的每引脚数据速率和更高的堆叠层数。SK海力士已确认将推出具有完整2048位接口、运行速度为10 GT/s的12层HBM4，而三星也正规划采用自家逻辑工艺实现类似容量。美光正在交付自家的HBM4堆栈，并声称其效率比HBM3E高出20%以上。
HBM4E是该路线图的延伸，但美光将其视为更具战略意义的一步。该公司强调，基础晶粒将在台积电而非内部工厂制造，并且将向愿意支付溢价的客户提供定制逻辑晶粒设计。通过开放基础晶粒的定制，美光实质上将HBM转变为一个半可配置的子系统。GPU供应商可以不再局限于千篇一律的接口层，而是可以请求额外的SRAM、专用压缩引擎或调谐的信号路径。
这种方法与我们从SK海力士所见相呼应，该公司早已将可定制基础晶粒描述为其HBM4战略的一部分。鉴于定制内存更具客户粘性、利润更高，并且对于试图从AI加速器中榨取每一瓦特性能和每一个计算周期的客户来说更为重要，这很可能成为市场中利润丰厚的一个细分领域。
美光公布HBM4E计划的时间点看似并非偶然。英伟达（Nvidia）和超微半导体（AMD）都计划在2026年推出采用HBM4的下一代数据中心GPU，而HBM4E看起来与它们的后续产品完美契合。
预计在2026年接替Blackwell的英伟达Rubin架构正是围绕HBM4构建的。预计Rubin级GPU将提供约13 TB/s的内存带宽和高达288GB的容量，相比采用HBM3E的Hopper架构8 TB/s的带宽上限是一次飞跃。后续平台Rubin Ultra已出现在英伟达的2027年路线图上。该平台明确要求HBM4E，每个GPU支持高达1TB的内存，整机架级的总带宽将达到每秒PB级别。
超微半导体的发展路线同样激进。预计与Rubin大致同期推出的Instinct MI400系列也将转向HBM4。泄露信息表明其将配备高达432 GB的HBM4和19.6 TB/s的带宽，是当前MI350所提供的两倍多。与Rubin类似，MI400采用小芯片设计，由超宽内存总线连接，这使得HBM4成为必需。此后便是HBM4E，预计在2027年或2028年推出，具体取决于良率和生态系统准备情况。
这一发展节奏使得美光与台积电的合作尤为重要。通过将基础晶粒转移到先进逻辑工艺节点并提供定制化，美光可以使其路线图与Rubin Ultra、MI400后续产品以及加速器领域未来任何新需求保持同步。
从更宏观的角度看，美光与台积电的合作引发了关于HBM4E如何广泛普及到AI数据中心的思考。目前，只有最高端的GPU和TPU使用HBM，大多数服务器仍依赖DDR5或LPDDR。但随着工作负载规模持续膨胀，这一情况可能会发生巨大变化。
美光已表示其HBM客户群已增至六家，英伟达位列其中。该公司还正与英伟达合作在服务器中部署LPDDR。与台积电的合作表明，美光意图使HBM4E成为被广泛采用的AI基础设施组成部分，有可能使其在2020年代后半期成为AI节点的标准内存层级。
