中国著名闪存制造商长江存储（YMTC）正计划进军DRAM业务，很可能将重点开发“自研”高带宽内存（HBM），以解决国内的供应短缺问题。
长江存储目前正在建立DRAM生产线并开发用于HBM的堆叠技术。据了解，中国正面临严重的HBM短缺，这源于该国对AI芯片的巨大需求。此前有报道称，中国一直依赖于HBM库存，而如今这些库存几乎消耗殆尽。对于国内产业而言，缺乏本土HBM选项是比芯片制造能力不足更为严峻的问题，目前看来各公司正在加紧应对这一局面。据路透社报道，长江存储正涉足DRAM业务，旨在生产HBM解决方案。
这家国有背景芯片制造商的举动凸显出，在美国于2023年12月扩大出口管制以限制中国获取高带宽内存（HBM）之后，中国提升先进芯片制造能力的紧迫性日益增强。HBM是一种用于制造AI芯片组的特殊类型DRAM。
报道称，长江存储也正专注于名为硅通孔（TSV）的芯片封装技术，该技术是HBM在堆叠的显存芯片之间建立连接的关键技术之一。因此，在闪存业务之后，长江存储希望建立专门的DRAM生产线，以满足HBM生产的需求，并试图缓解供需瓶颈。这一瓶颈是目前制约中国国内科技巨头采用AI芯片的最大障碍之一。
基于早前报道，我们曾讨论过长江存储计划如何与中国的DRAM制造商长鑫存储（CXMT）合作，专注于联合生产HBM，后者将提供3D堆叠技术方面的专业知识。据称，长江存储计划将其位于武汉的一座工厂用于DRAM生产，但目前的产量尚不确定。向DRAM业务的转型可能是一项较新的尝试，最终解决方案的成型尚需时日。
HBM瓶颈无疑是中国公司希望解决的关键障碍，尤其是在华为近期宣布在其下一代AI芯片中集成自研HBM工艺之后。
