美光（Micron）已确认开始向客户送样业界最快的11 Gbps速率HBM4 DRAM，并宣布将与台积电（TSMC）合作开发下一代HBM4E内存。
在最新的2025财年第四季度及全年财报电话会议上，美光公布了其在DRAM和NAND Flash业务领域的一些关键进展。财报方面，公司该季度营收达到113.2亿美元，高于上一季度的93亿美元；全年营收则从251.1亿美元增长至373.8亿美元。公司目前正致力于通过下一代解决方案进一步提升业绩。
首先关于HBM，美光表示其HBM4 12-Hi DRAM解决方案仍按计划推进。为满足近期提升的性能要求，公司已生产并送样了迄今最快的HBM4解决方案的首批样品，其引脚速度超过11 Gbps，带宽达到2.8 TB/s。他们声称，新的HBM4产品在性能和能效方面均应优于所有竞争对手。
“我们很高兴地注意到，我们的HBM市场份额正按计划在本日历年第三季度再次增长，并与我们整体的DRAM份额持平，这实现了我们过去几个季度一直讨论的目标。即使HBM4的带宽和引脚速度性能要求有所提高，美光技术的HBM4 12-Hi产品仍按计划支持客户平台的产能爬坡。我们近期已向客户送样了具有业界领先带宽（超过2.8 TB/s）和引脚速度（超过11 Gbps）的HBM4样品。我们相信美光技术的HBM4优于所有竞品，能提供业界领先的性能以及最佳的能效。我们经验证的1γ DRAM、创新且高能效的HBM4设计、内部先进的CMOS基础芯片以及先进的封装创新，是实现这款最佳产品的关键差异化因素。”
——桑杰·梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra），美光总裁兼首席执行官
除了HBM4，公司还谈到了下一代HBM4E内存。与完全基于内部先进CMOS基础芯片的HBM不同，美光将与台积电合作制造HBM4E内存的基础逻辑芯片。这适用于标准版本和定制版本。美光还强调，他们预计HBM4E将成为2027年的产品。
“对于HBM4E，美光技术将提供标准产品以及基础逻辑芯片的定制选项。我们正与台积电合作，为标准和定制产品制造HBM4E基础逻辑芯片。定制化需要与客户紧密协作，我们预计带有定制基础逻辑芯片的HBM4E将比标准HBM4E带来更高的毛利率。我们的HBM客户群已经扩大，现在包括六家客户。我们已经与几乎所有客户就我们在2026日历年的大部分HBM3E供应达成了定价协议。我们正就HBM4的规格和数量与客户积极讨论，并预计在未来几个月内达成协议，售罄我们在2026日历年剩余的HBM总供应量。”
——桑杰·梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra），美光总裁兼首席执行官
此外，美光表示已与英伟达（NVIDIA）密切合作，推动LPDDR内存在服务器中的应用，使其成为数据中心领域LPDDR DRAM的独家供应商。美光还谈到了用于AI和客户端产品的GDDR7内存。预计未来的迭代产品和版本将实现超过40 Gbps的引脚速度。目前，英伟达是唯一在其GPU中采用GDDR7的GPU制造商。最初，美光宣布的GDDR7引脚速度为32 Gbps，因此40 Gbps将意味着速度提升25%。
“在与英伟达的紧密合作中，美光开创了在服务器中采用LPDDRAM的先河，自英伟达在其GB产品系列中引入LPDDRAM以来，美光一直是数据中心中LPDDRAM的独家供应商。除了在HBM和LPDDR5领域的领导地位外，美光的GDDR7产品也处于有利位置，该产品旨在通过超过40 Gbps的引脚速度提供超快性能，并具有最佳能效，以满足未来某些AI系统的需求。”
——桑杰·梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra），美光总裁兼首席执行官
最后，在1γ DRAM制程节点方面也取得了进展，该节点以创纪录的时间达到了成熟的良率，比上一代快了50%。G9 NAND的产能爬坡也进展顺利，美光表示其G9 NAND节点正同时推进TLC和QLC NAND闪存解决方案的产能提升。公司是首家推出PCIe Gen6 SSD（用于数据中心）的企业，并应继续提供更多采用16Gb 1γ DRAM的解决方案。
