三星的12层HBM3E芯片已通过英伟达（Nvidia）的高端人工智能加速器资格认证。消息公布后，这家韩国巨头的股价应声上涨超过5%，因为此次认证意味着三星正在追赶SK海力士（SK hynix）和美光（Micron）——这两家公司此前已开始向英伟达销售HBM3E芯片。
这一利好消息出现在HBM3E芯片完成开发约18个月以及经历多次认证延期之后。据报道，三星在2026年之前不会向英伟达大量销售HBM3E芯片，因为目前高速芯片的订单正由SK海力士和美光履行。
根据报告，三星的HBM3内存预计将很快应用于英伟达DGX B300加速卡，因为彭博社的行业消息来源预计该芯片将很快获得英伟达的最终认证。至于超威半导体（AMD），三星与美光已共同为Instinct MI350加速卡供应HBM3E芯片。HBM3E是目前最高规格的内存芯片，采用12层堆叠结构（标准HBM3为8层），每堆栈可实现高达1.2 TB/s的带宽。
尽管HBM3E问世尚不足一年，但人工智能的发展浪潮不等人。行业目光已聚焦于HBM4标准，该规格将芯片总线宽度翻倍，使每堆栈带宽达到约2 TB/s。值得注意的是，虽然JEDEC的HBM4标准要求每引脚速率为8 Gbps，但受英伟达压力影响，三大内存制造商均计划在生产芯片上实现每引脚10至11 Gbps的速率。凭借3-4纳米制程工艺（原为10纳米），HBM4预计将实现每芯片64 GB的显著更高容量（原为48 GB），同时功耗降低20%至30%。
三星已与几乎所有人工智能芯片制造商洽谈，旨在为其即将推出的HBM4产品争取早期认证，并计划于2026年上半年启动大规模生产。目前这场竞赛由SK海力士领跑，该公司不到两周前刚刚宣布完成HBM4开发。不过从三星股价飙升来看，投资者似乎坚信这家韩国制造商将很快迎头赶上。
