目前韩国媒体报道称，三星在12层堆叠版本获得认证后，已获得英伟达（NVIDIA）的HBM3E内存供应资格，这对该企业而言是一项重大突破。
据悉，英伟达与三星关于HBM的供应拉锯战已持续数月。这家韩国巨头最初难以进入英伟达供应链，此前报告指出三星HBM3存在发热问题，这确实源于其DRAM技术缺陷。在经历HBM3的失败后，三星转而采用8层堆叠的HBM3E方案，但由于沿用旧版1a纳米级DRAM“第四代”技术，仍因性能和发热问题未获认证。
最新消息显示，三星已全面修改DRAM设计方案，并大幅增加HBM业务投资以确保技术突破。对三星而言，此次供应合作的意义远超营收层面，更关乎技术尊严的捍卫——获得英伟达认可意味着其技术路线已重回正轨。
现阶段三星获得的HBM3E订单规模有限，毕竟英伟达早已依赖SK海力士（SK hynix）和美光（Micron）的现有供应体系。但凭借此次突破，这家韩国巨头有信心在HBM4领域与竞争对手同步发展。值得注意的是，三星凭借1c纳米级DRAM技术及采用三星晶圆代工厂4纳米逻辑晶片的方案，据称已成为首家实现11Gbps传输速率的HBM4供应商。未来HBM4的供应范围还有可能扩展至超微半导体（AMD）、博通（Broadcom）和谷歌（Google）等企业。
三星持续低迷的业务似乎迎来了重大转机，如今可以确信这家韩国巨头已达到与SK海力士、美光同级的技术水准，意味着HBM领域的竞争将日趋白热化。
