据《金融时报》报道，中国最大晶圆代工厂中芯国际正在测试中国首台国产浸没式深紫外光刻机的原型机。该设备由上海微芸半导体科技有限公司研制，该公司与华为旗下矽晟微装存在关联，被视为中国实现晶圆制造设备自主化战略的关键一环。
中芯国际此次测试的微芸半导体浸没式DUV光刻机主要针对28纳米制程工艺设计，但通过多重曝光技术理论上可延伸至7纳米甚至5纳米节点。该设备大部分组件已实现国产化，仅余少量部件仍需进口。公司正全力推进全产业链本土化进程，一旦完成（具体时间未明确），中国将在此类芯片制造设备领域摆脱欧美出口管制的影响。
若《金融时报》描述准确，微芸半导体这款正在测试的设备性能接近阿斯麦2008年推出的Twinscan NXT:1950i光刻机。该型号当年专为单次曝光32纳米制程开发，配备1.35数值孔径光学系统、2.5纳米套刻精度和38纳米分辨率，经优化后可支持22纳米节点。虽然理论上NXT:1950i能通过多重曝光处理7纳米及5纳米芯片，但阿斯麦后续推出的NXT:2000i系列已针对先进节点进行多代技术迭代。
目前尚不清楚该设备是否已进入中芯国际实际生产线（即进行芯片或图案的实际生产），或仍处于首次晶圆曝光等初步测试阶段（可能性更大）。若属后者，则该设备距离量产实际芯片还需数年时间。据透露，国产浸没式光刻机的目标是在2027年完成认证后集成到生产线中，此前中芯国际仍将依赖阿斯麦设备。
值得关注的是，尽管中芯国际（及微芸半导体）认为基于28纳米级设备开发7纳米及5纳米制程可行，但若要在套刻精度、控制精度和工艺复杂性方面实现跨越，仍需对现有设备进行重大升级。即便该设备在2027年成熟并应用于28纳米产线，微芸半导体也需经过多年技术迭代才能通过重新设计光刻机逐步过渡到16纳米及7纳米节点，因此国产光刻系统支撑10纳米以下制程的量产时间预计不会早于2030年。
该项目代号“珠穆朗玛”，以世界最高峰寓意其战略重要性。值得注意的是矽晟微装也惯用山岳命名其半导体设备项目，这既证实了两家公司的关联（据悉矽晟微装是微芸半导体投资者），也暗示它们同属致力于相同目标的产业联盟。值得警惕的是，上海微芸半导体科技有限公司已于2024年底被美国商务部列入实体清单。
