联发科（MediaTek）今日（16日）宣布，其首款采用台积电（TSMC）2纳米制程技术的旗舰系统单芯片（SoC）已成功完成设计定案（tape-out），成为首批采用此技术的公司之一，预计将于2026年底进入量产。双方长期合作，致力于为旗舰移动平台、计算、汽车、数据中心及其他应用领域打造兼具高性能与低功耗的芯片组。此次合作也标志着联发科与台积电坚实伙伴关系的新里程碑。
台积电的2纳米制程技术首次采用纳米片晶体管结构，从而实现了性能、能效和良率的提升。联发科首款采用此新制程的芯片预计将于2026年底上市。
与现有的N3E制程相比，台积电增强的2纳米技术将逻辑密度提升了1.2倍，在相同功耗下性能最高可提升18%，或在相同速度下功耗降低约36%。
联发科总经理陈冠州表示：“这款采用台积电2纳米技术的芯片开发，再次证明了我们将先进半导体制程技术广泛应用于多元解决方案的业界领先能力。我们与台积电长期紧密的合作，确保了联发科旗舰产品能够实现最高性能和最佳能效，为全球客户带来从边缘到云的卓越解决方案。”
公司未明确说明这款旗舰SoC的具体目标领域，但“旗舰”一词暗示它可能是另一款可能与英伟达（NVIDIA）相关的芯片，双方此前已合作开发了GB200“Grace Blackwell”超级芯片。联发科与英伟达合作的N1X和N1系列SoC虽早有传闻称将于2025年初发布，但至今尚未有任何官方消息。
联发科和英伟达可能正在等待合适的优化时机，以期凭借完善的SoC解决方案正式大规模进军“AI PC”市场。借助台积电2纳米技术的强大实力，等待并在明年晚些时候进行大规模发布或许是正确的决策。
关于台积电的2纳米技术，相较于N3E制程，新节点将提供20%的逻辑密度提升，在相同功耗下性能最高提升18%，或在相同速度下功耗降低36%。GB200超级芯片采用台积电3纳米技术制造，因此2纳米将带来显著提升。此外，超微半导体（AMD）也计划在其Zen 6 CPU中采用台积电的2纳米技术。
我们可能会在明年听到更多关于这款新SoC的消息，要么由联发科在2026年台北国际电脑展（Computex 2026）前后自行公布，要么如果它确实是双方合作的芯片，则由英伟达在2026年GTC大会或Computex上宣布。敬请期待明年的更多消息。
