英伟达（NVIDIA）面向中国人工智能市场的下一代布莱克维尔（Blackwell）芯片B30A将采用HBM3E内存，其性能提升主要由架构升级驱动。
与采用单片设计的H20人工智能芯片不同，B30人工智能芯片将采用双芯粒设计。这一设计使得B30A芯片在小芯片配置方面有望与B200/B300芯片看齐。根据此前预估，该芯片规格将是B300芯片的一半——配备141GB的HBM3E 8-HI内存，采用台积电（TSMC）N4P制程工艺，并支持900GB/s带宽的NVLink互联技术，这些配置与H20芯片相似。
英伟达计划通过双芯粒设计获得相对于H20的优势。考虑到霍珀（Hopper）与布莱克维尔两代架构之间的显著性能差距，B30A芯片很可能成为中国客户青睐的解决方案。分析师称中国特供版布莱克维尔芯片最早可能在2025年第四季度亮相，这意味着黄仁勋（Jensen Huang）及其团队需要在未来数周内争取获得特朗普政府的监管批准。
当前中国人工智能企业正积极寻求替代英伟达的技术方案，这意味着英伟达需要加速通过布莱克维尔解决方案进入中国市场。在此背景下，最终确定的B30A芯片规格将备受关注。
