美国政府正考虑取消三星（Samsung）和SK海力士（SK hynix）的晶圆厂设备无限期出口许可，转而采用年度许可制度。据彭博社报道，这一决定将大幅增加监管复杂性，但至少能维持晶圆厂运营的连续性，意味着全球波动剧烈的DRAM和NAND闪存供应不会中断。
此前，三星和SK海力士凭借“经验证最终用户”（VEU）资格，在承诺遵守美国安全与监控措施的前提下，获得了向中国工厂进口受限制晶圆制造设备（WFE）的全面许可，极大简化了运营流程。这些许可将于今年年底到期。
美国商务部提议以“厂区许可”模式替代VEU制度，并于近期向韩国官员提交该方案。根据新规，三星和SK海力士需每年申请固定清单的设备及材料许可，且必须预先申报数量。此举旨在维持现有生产线运转的同时，阻止通过设备升级扩产提升中国获取先进芯片技术的能力。
尽管该妥协方案能避免供应链冲击，但韩国官员和高管担忧其缺乏灵活性——设备突发故障或计划外维修需求若未包含在初始许可中，可能因年中重新申请审批而导致生产延误。美方官员回应称紧急许可可快速获批，但业内仍存疑虑。
此次出口管制政策调整源于2022年出台的美国设备出口限制措施，当时针对的是用于制造16纳米及更先进逻辑芯片的FinFET晶体管、18纳米半间距DRAM以及128层及以上3D NAND闪存的设备，旨在限制中国发展先进芯片与计算机技术。但英特尔（Intel）、三星、SK海力士和台积电（TSMC）获得了继续运营中国工厂的豁免许可。
最终，美方希望加强对输往中国晶圆厂设备的监管透明度，即使这些工厂由韩国、台湾等盟友地区的企业所有。尽管存在反对声音，年度厂区许可模式可能是当前最可行的方案。据悉特朗普政府官员坚决反对恢复VEU框架，批评该制度是拜登时代留下的漏洞。但若改为每年处理数千份单独许可申请，对两国政府和企业而言都难以实现。
