在即将于本月晚些时候发布之前，高通持续对骁龙8 Elite Gen 5进行优化，这款旗舰SoC将充分发挥台积电（TSMC）第三代3nm「N3P」制程的全部潜力。虽然上述制造工艺相较于3nm「N3E」技术仅为光学微调，但这款即将问世的SoC工程样品相比骁龙8 Elite仍实现了更高的游戏性能和能效提升。
最新传闻称，图形密集型游戏在骁龙8 Elite Gen 5上运行时的功耗应不会超过5W。爆料人数码闲聊站（Digital Chat Station）分享的最新消息值得关注——本月初，同一消息源曾声称骁龙8 Elite Gen 5在提供卓越性能的同时，功耗指标与骁龙8 Elite相近。虽然未透露达成该结果的具体测试细节，但从现有信息来看，该芯片当时可能并未运行任何游戏项目，因为据传这款工程样品能输出更优的帧率和功耗表现。
当然，此次仍未提及具体游戏名称。但与iOS系统不同，若想在骁龙8 Elite Gen 5旗舰设备上体验3A级游戏，无法直接原生运行，必须借助「经反复验证的」模拟方案。爆料人明确表示将通过额外优化措施，确保图形密集型游戏的功耗降低1W或更多。或许有人认为1W的降幅微不足道，但对智能手机而言，每一点功耗优化都意义重大。
补充细节表明，高通的目标是将整体功耗控制在5W以内，从而减少骁龙8 Elite Gen 5的发热量并提升续航表现。目前流传的信息仍显零散，在缺乏充足数据支撑的情况下，我们尚无法对该芯片的实际表现下定论。更多细节或许要等到官方发布时才能揭晓，敬请保持关注。
