据DigiTimes今日报道，长江存储科技有限责任公司（YMTC）正筹备进军DRAM制造领域，并探索与长鑫存储技术有限公司（CXMT）建立合作伙伴关系，以瞄准高带宽内存（HBM）市场。这种高端堆叠式DRAM正是众多顶级AI加速器的核心组件。此举将使中国领先的NAND制造商与头号DRAM供应商强强联合——当前HBM已成为数据中心最炙手可热的元件，而中国政府正着力降低对三大存储巨头三星、SK海力士和美光的依赖。
两大存储巨头的共同目标
在GPU和定制AI芯片的推动下，HBM已成为存储市场的增长引擎。美国政府已注意到这一趋势：美国工业与安全局在2024年12月的法规修订中，明确将HBN纳入管控范围，同时加强对芯片制造设备的新限制，最终收紧中国获取支撑AI计算的关键技术。这一政策背景解释了YMTC与CXMT可能开展合作的内在动因。
实地进展方面，CXMT一直在加速技术突破。2024年至当下的报告显示，该公司已实现HBM2量产，并正加速推进HBM3研发进程。多家中国媒体与研究机构预测其HBM3与HBM3E量产窗口期为2026-2027年。分析师认为，这使CXMT虽落后韩国领军企业数年，但发展节奏明显更快。
YMTC的战略价值
YMTC在此次潜在合作中的价值并非DRAM技术传承，而是晶圆键合专业能力。其“Xtacking”架构——被TechInsights评为混合键合技术领先实施方案的晶圆对晶圆工艺——已持续多年用于3D NAND量产。随着HBM行业普遍转向混合键合技术以提升带宽并改善堆叠高度增加后的散热性能，这项专业技术显得尤为重要。
本土封装产业链也在同步构建。路透社2024年报道称，包括CXMT和武汉新芯在内的中国企业正在开发HBM封装方案，而通富微电已涉足组装领域。当先进封装成为HBM供应链的实际壁垒时，晶圆厂若要扩大产出，此类半导体外包组装与测试几乎不可避免。
最终，此类合作绝非孤立现象。美国持续加强对中国晶圆厂的管控，近日台积电南京工厂失去快速审批资格的事件再次表明：随着美国试图遏制中国先进半导体生产，出口许可制度正变得愈发精细且耗时。
即便未来YMTC-CXMT合作取得成果，设备获取能力与客户认证流程仍将决定中国HBM能否突破本土市场走向全球。
