SK海力士（SK hynix）与阿斯麦（ASML）于本周三宣布，双方已在SK海力士位于韩国利川的M16晶圆厂内成功组装业界首台Twinscan NXE:5200B高数值孔径极紫外光刻机。该设备初期将作为下一代工艺技术的研发平台，未来数年内将用于基于尖端工艺的DRAM量产。
对于SK海力士而言，率先部署配备0.55数值孔径光学系统的Twinscan NXE:5200B意味着其技术领先于主要竞争对手美光（Micron）、三星（Samsung）以及半导体行业绝大多数仍在使用0.33数值孔径传统EUV设备的厂商。
SK海力士研发负责人车宣勇（Cha Seon Yong）表示：“这一关键基础设施将助力我们实现长期追求的技术愿景。我们将通过尖端技术巩固在AI内存领域的领导地位，以满足快速增长的人工智能和下一代计算市场需求。”
阿斯麦的Twinscan EXE:5200设备凭借0.55数值孔径镜头可实现8纳米分辨率（当前低数值孔径EUV工具为13纳米），使晶体管尺寸缩小1.7倍，单次曝光晶体管密度提升2.9倍。虽然低数值孔径设备可通过成本高昂的多重图形技术达到类似效果，但高数值孔径EUV能简化光刻步骤，尽管需要应对新的技术挑战。
鉴于高数值孔径EUV设备可避免双重或三重EUV图形技术，NXE:5200B将率先用于加速下一代DRAM的原型开发，这些产品仍采用基于现有低数值孔径EUV和深紫外光刻技术的工艺。此后该设备将转向开发必须依赖高数值孔径EUV才能实现合格良率和生产周期的制造工艺。阿斯麦在投资者报告中预计，DRAM制造商将在2030年代全面过渡至高数值孔径EUV技术。
快速原型制作将极大加速下一代工艺技术研发。相比现有低数值孔径EUV工具，高数值孔径EUV设备能以更高效率完成DRAM结构（如电容沟槽、位线、字线）的精细原型开发，为SK海力士的研发工作提供关键助力。
面向2030年代的长期规划，SK海力士可借此设备提前测试图形极限、开发新布局方案并评估必须采用高数值孔径EUV的新制程所需材料，为全面转向高数值孔径EUV量产做好技术储备。
此次在客户生产基地（SK海力士M16量产工厂）完成首台Twinscan NXE:5200B的组装具有里程碑意义。此前阿斯麦仅在英特尔（Intel）俄勒冈州希尔斯伯勒的D1X研发工厂部署过Twinscan NXE:5000系统（已生产数万片晶圆）。这些NXE:5000系统虽被视为预生产设备，但可通过升级满足大规模制造要求。
阿斯麦客户团队负责人金炳燦（Kim Byeong-Chan）强调：“高数值孔径EUV是开启半导体产业新篇章的关键技术。阿斯麦将与SK海力士紧密合作，共同推动下一代存储器的创新进程。”
