三星计划于明年年初发布的Galaxy S26系列或将打破高通芯片的独家供应格局。据报道，该公司正筹备大规模生产Exynos 2600芯片。今年早些时候，三星宣布该芯片将成为其首款采用2纳米GAA制程的半导体产品，当时仅知其在神经网络处理器（NPU）性能上较前代有显著提升。最新报告显示，三星已准备好启动Exynos 2600的全规模量产，并强调曾令公司倍感困扰的良率问题已得到解决。
据悉，该芯片将采用名为“热传导阻断”（Heat Pass Block）的技术解决潜在过热问题，以确保Exynos 2600发挥最佳性能水平。
数月前有报道称，三星2纳米GAA制程的进展比3纳米GAA节点更为顺利，良率预估达30%。虽然该数值偏低，但鉴于近期未公布最新进展，实际良率理应有所提升。据《电子时报》（ETNews）报道，三星先进代工厂正为Exynos 2600的量产做准备，暗示此前所有技术障碍均已扫除。
Galaxy S26系列预计将根据发售区域混合搭载骁龙8 Elite Gen 5和Exynos 2600芯片，此举有助于降低三星年度芯片采购支出。此外，Exynos 2600近期现身Geekbench 6跑分平台，其成绩可与降频版骁龙8 Elite Gen 5抗衡。这些结果表明，三星2纳米GAA制程有望挑战台积电计划于2025年第四季度量产的同级技术。
不过三星仍需重塑客户信心，这不仅关乎技术实力，更涉及企业声誉的重建。历史上Exynos系列芯片曾因过热问题备受诟病，为此报道称三星已引入HPB散热技术以控制Exynos 2600的热量输出。需要说明的是，该技术此前已有披露，且报道多数信息均为旧闻。鉴于消息源的可信度存疑，我们对此持保留态度，将持续关注后续进展。
