投资银行高盛（Goldman Sachs）认为，中国光刻机企业的技术水准至少落后美国同行20年。光刻是半导体制造的多个环节之一，也是目前制约中国制造高端芯片的唯一瓶颈。最先进的光刻机由荷兰公司阿斯麦（ASML）生产，由于这些设备依赖美国技术组件，美国政府能够限制其向中国销售。
高盛指出，中国国产光刻设备目前仅能达到65纳米制程水平。中国科技巨头华为因与军方存在关联而被美国政府禁止从台积电（TSMC）采购芯片，因此不得不依赖中芯国际（SMIC）满足其芯片需求。而限制中芯国际采购极紫外（EUV）光刻机的额外制裁，意味着中国企业目前被限制在7纳米芯片的制造水平。
这些芯片很可能是通过阿斯麦较旧的深紫外（DUV）设备制造的，因为中国缺乏制造先进光刻扫描仪的能力——这些设备需要来自全球（主要来自美国和欧洲）的零部件。投资银行高盛的最新报告显示，中国本土光刻设备产业可能落后阿斯麦二十年。
光刻是芯片制造过程中的关键步骤之一，其作用是将芯片设计从光掩模转移到硅晶圆上。阿斯麦的EUV和High-NA EUV等高精度扫描仪能够在硅晶圆上转印更微小的电路图案，从而提升芯片性能。图案转印后经过蚀刻形成最终布局，在整个制造过程中还会沉积其他材料并对晶圆进行清洗。
因此，光刻技术在晶圆上精密电路复制的关键性，使其成为芯片制造过程的瓶颈。高盛在近期报告中认为，中国本土产业要追平阿斯麦当前一代芯片制造技术，至少需要20年时间。
目前，台积电等领先芯片制造商正在大规模生产3纳米芯片，并准备制造2纳米产品。高盛的报告强调：“阿斯麦花费了20年时间和400亿美元的研发支出及资本支出，才实现从65纳米到3纳米以下光刻技术的跨越。”鉴于中国国产光刻设备制造商目前仅处于65纳米水平，该行数据显示这些企业短期内赶上西方技术的可能性微乎其微。
