高通（Qualcomm）的首款2纳米芯片需等待整整一年才能展示其性能，但本月晚些时候，该公司预计将推出当前旗舰SoC——骁龙8 Elite（Snapdragon 8 Elite）的略微增强版本。据传闻，其直接继任者将被命名为骁龙8 Elite Gen 5而非骁龙8 Elite Gen 2，但在能效方面，最新传闻却令人失望——其功耗水平预计将与前代产品基本持平。
能效提升的缺失可能源于高通在仅采用台积电（TSMC）3纳米工艺升级版的情况下，同时提高了骁龙8 Elite Gen 5性能核心与能效核心的运行频率。微博博主数码闲聊站透露了该芯片的性能改进细节，虽然提升确实存在，但其爆料同时伴随着一丝遗憾：即将于9月23日发布的新旗舰芯片功耗水平将与当前骁龙8 Elite保持一致，这可能是采用台积电第三代3纳米工艺（即N3P制程）所导致的结果。
本质上，这项技术是台积电第二代3纳米工艺的光学缩微版本，仅在相同功耗下带来5%的性能提升。或者在相同时钟频率下实现5%-10%的电池续航优化。这意味着高通2026年的旗舰芯片因从3纳米转向2纳米制程，预计将展现出更优异的特性。
客观而言，高通此次只是在同一代制程基础上进行了小幅光刻技术迭代。但这并不意味骁龙8 Elite Gen 5会被性能保留——即使在三星Galaxy S26 Edge上测试的降频版本（性能核心频率从4.74GHz降至4.00GHz），其单核与多核跑分仍全面超越了骁龙8 Elite.
值得庆幸的是，在硅碳电池技术日益成熟的当下，高通的多个中国合作伙伴势必会为其设备配备大容量电池，以抵消骁龙8 Elite Gen 5满负荷运行时的功耗，确保智能手机仍能维持长时间续航。若发现更多技术细节，我们将第一时间向读者同步更新。
