Quinas Technology与先进晶圆制造商IQE plc历时一年的合作取得重大突破，双方成功开发出可扩展的UltraRAM外延工艺技术。这项被誉为全球首创的锑化镓/锑化铝外延工艺，标志着兼具DRAM级速度、NAND闪存4000倍耐久性且数据可保存千年的新型存储器即将进入产业化阶段。
UltraRAM采用化合物半导体外延工艺，通过在晶体基底上精确生长半导体层，再结合光刻和蚀刻等标准半导体制造技术形成存储芯片结构。IQE首席执行官尤塔·迈耶强调：“这项成就不仅是UltraRAM封装芯片工业化生产的里程碑，更为英国下一代化合物半导体材料的发展带来独特机遇。”
Quinas首席执行官兼联合创始人詹姆斯·阿什福思-普克将此次突破称为“从大学研究走向商业内存产品的转折点”。据悉，两家公司正与多家晶圆厂及其他合作伙伴评估试生产方案。
这项最早由兰卡斯特大学于2022年开发的存储技术，凭借量子共振隧穿效应实现了<1飞焦耳的超低功耗切换特性。2023年9月实验室曾向外界展示原型芯片，如今制造工艺的规模化突破使其商业化进程迈出实质性一步。
