SK海力士周一宣布已开始量产其321层2Tb 3D QLC NAND闪存芯片。该技术将助力打造最高容量达244TB甚至更高的数据中心级超高速固态硬盘，同时也能为消费级PC推出可与市面上顶级固态硬盘媲美且价格相对亲民的大容量驱动器。
这款属于V9Q产品系列的321层2Tb（256GB）3D QLC NAND闪存拥有3200 MT/s的输入输出接口速度，仅略低于尖端3D TLC NAND芯片（如该公司即将推出的V9T 321层3D TLC NAND）的3600 MT/s。此外，新型2Tb V9Q芯片采用六平面设计（上一代3D QLC NAND设备通常为四平面），可实现更多并行工作，显著提升多路读取速度。
制造商宣称，与其2023年的旧款V7Q设备相比，2Tb V9Q设备的写入性能提升56%，读取性能提升18%。性能提升源于更高的I/O速度和增强的内部架构。该公司还表示，新一代2Tb V9Q芯片的写入能效也提高了23%，这很可能得益于工艺改进和电路级优化。
虽然2Tb 3D QLC NAND设备也将开始出现在多家制造商的产品中，但SK海力士V9Q的关键优势在于采用了最新的321层工艺技术，这使得其生产成本有望低于竞争对手的芯片。因此，SK海力士将能够打造出更廉价的固态硬盘，获得明显的竞争优势。
初期，该公司将把321层2Tb 3D QLC NAND设备应用于其消费级固态硬盘。例如，一款2TB的驱动器仅需八颗2Tb V9Q芯片，可封装在一到两个封装内，这将大幅降低公司成本。
最终，SK海力士的321层2Tb 3D QLC NAND将用于企业级固态硬盘，包括目前正在开发中的244TB产品。该驱动器将采用SK海力士独特的32DP封装技术，可将32颗2Tb设备集成于单个封装内。
SK海力士NAND开发负责人Jeong Woopyo表示：“随着量产开始，我们显著增强了高容量产品组合并确保了成本竞争力。我们将顺应人工智能需求的爆炸性增长和数据中心市场的高性能要求，实现作为全栈AI内存供应商的重大飞跃。”
