SK海力士（SK hynix）今日宣布，已成功开发出321层2Tb四级单元（QLC）NAND闪存产品并启动大规模量产。此项突破标志着全球首次实现超过300层的QLC技术，为NAND密度树立了新标杆。公司计划在完成全球客户验证后，于2025年上半年正式投放市场。
SK海力士NAND开发负责人郑宇表（Jeong Woopyo）表示：“通过启动量产，我们显著增强了高容量产品阵容的成本竞争力。随着AI需求爆发式增长及数据中心市场对高性能要求的提升，我们将作为全栈AI内存供应商实现重大飞跃。”
为最大化新产品成本效益，SK海力士开发了容量两倍于现有方案的2Tb器件。针对大容量NAND可能出现的性能衰减问题，公司将芯片内独立运行单元——平面（plane）数量从4个增至6个，通过增强并行处理能力显著提升了同步读取性能。
相比前代QLC产品，321层QLC NAND在实现更高容量的同时，数据传输速度提升两倍，写入性能最高提升56%，读取性能提升18%。此外，写入能效提升超过23%，增强了在低功耗至关重要的AI数据中心领域的竞争力。
该公司计划首先将321层NAND应用于PC固态硬盘，随后拓展至数据中心企业级固态硬盘（eSSD）和智能手机通用闪存存储（UFS）。通过采用可单封装同步堆叠32颗NAND晶片的独家32DP技术，SK海力士旨在实现两倍集成密度，进军AI服务器超大规模eSSD市场。
