华为最新数据中心芯片鲲鹏930的内存模块似乎采用了台积电N5（5纳米）制程工艺制造。台积电于2020年开始量产基于N5技术的产品，而目前最新内存芯片已采用N3（3纳米）节点，N2（2纳米）制程也即将投入市场。但由于N5与N3存储单元的尺寸相近，尚不能断定鲲鹏芯片在这方面已落后于最新产品。
据社交媒体平台X用户爆料，有网站出售鲲鹏930芯片，促使某买家购得并进行拆解。其前代产品鲲鹏920在华为官网显示采用英国Arm公司架构设计，基于7纳米制程工艺。
虽然华为官网未列出鲲鹏930相关信息，但该芯片已现身基准测试平台。华为原计划在2021年推出这款产品，但由于美国禁令限制其采用台积电高端制程，研发进程受阻。去年该芯片曾出现在Geekbench 6基准测试中。
名为Jukan的X用户声称获得一段电子显微镜拆解鲲鹏930的视频。据其描述，这款生产日期接近2024年底的芯片，其静态随机存储器（SRAM）模块具有台积电N5工艺家族的技术特征。
数据显示，N5存储单元尺寸为0.021微米，与N3存储单元基本相当。这意味着即便鲲鹏930采用N5工艺制造，在存储密度方面仍具备竞争力。
由于具体制程工艺尚未明确，目前无法最终判定该芯片性能水平。去年基准测试显示其性能接近AMD公司2020年发布的芯片产品，反映出美国制裁对华为芯片研发的持续影响。
