高通的骁龙峰会定于9月23日开幕，其旗舰芯片骁龙8 Elite Gen 2（Snapdragon 8 Elite Gen 2）现身基准测试数据库只是时间问题。这款全新SoC在安兔兔（AnTuTu）测试中斩获惊人的380万分，较当前榜单中骁龙8 Elite机型最高分领先40.7%后，近日又被发现运行于三星（Samsung）超薄智能手机Galaxy S26 Edge中，成绩同样耀眼——不过若观察细节，这些数据本可更出色。
深入查看时钟频率可发现，测试中骁龙8 Elite Gen 2的性能核心仅运行在4.00 GHz，若以标定的4.74 GHz持续运行，差距将更为显著。
型号为SM-S947U的Galaxy S26 Edge搭载该芯片时，单核与多核成绩分别为3,393分和11,515分。测试信息显示，设备预装Android 16系统，并采用与骁龙8 Elite相同的“2+6”CPU集群设计——性能核心标称频率达4.74 GHz，能效核心则为3.63 GHz。这一提升得益于高通转向台积电（TSMC）第三代3nm制程（代号N3P），能效优化最终使芯片可实现更高频率运行。
该机还配备12GB内存，对于轻薄旗舰而言，这样的单线程与多线程成绩已堪称惊艳。但需注意的是，六个性能核心并未以默认频率运行。根据业内人士Abhishek Yadav对芯片频率的深度解析，Galaxy S26 Edge的性能核心实际仅运行在4.00 GHz，目前无法确认这是三星或高通的刻意限制。
需要说明的是，Geekbench 6并非用于测试持续性能的工具，上述得分仅反映芯片短时爆发能力，不能体现 thermal throttling 状况。但历史数据显示，即便搭载性能稍强的骁龙芯片，三星设备在Geekbench 6上的表现往往逊于竞品。或许待Galaxy S26 Ultra现身测试时，我们能见证些改进。
