据报道，SK海力士计划通过1c DRAM技术实现重大突破，这将把DDR5和HBM产品提升至更高性能水平，并使该公司成为该领域的领导者。
SK海力士拟采用极紫外光刻（EUV）技术开发新一代DRAM，以实现更高良率与性能表现。显然，这家韩国企业对三星电子近期推出的1c DRAM技术反应迅速，预计将成为首家实现六层EUV光刻量产的企业（消息来源：ZDNet Korea），此举将重新定义市场标准。技术升级不仅会优化其消费级与HBM解决方案，更重要的是推动DRAM技术向下一代演进，未来很可能采用高数值孔径EUV（High-NA EUV）技术。
对于不熟悉EUV技术的读者，这项工艺因采用13.5纳米极紫外光而极具复杂性，其优势在于能以更少的多重曝光步骤实现更精细的电路蚀刻。传统DRAM技术混合使用EUV与深紫外光刻（DUV），而SK海力士计划在1c DRAM中全面转向六层EUV架构，从而生产出良率更高、性能更强且利润率更可观的产品。
值得注意的是，1c DRAM尚未应用于任何常规消费级内存方案，但SK海力士正在积极探索，未来很可能推出大容量DDR5内存。当前对EUV的投入实为企业的长期战略布局——在1d和0a等下一代DRAM产品中，EUV将成为核心技术组成部分，最终为高数值孔径EUV的整合铺平道路，这项尖端技术目前正由这家韩国巨头加紧研发。
通过EUV技术集成，SK海力士将能推出密度更高、速度更快、能效更优的DDR5内存，以及具备更高堆叠容量的HBM产品，同时显著提升生产良率。鉴于1c DRAM预计将随HBM4内存实现规模化应用，未来有望带来显著的性能飞跃。
