三星正计划复活其Z-NAND存储技术，并设定了极高的性能目标。据DigiTimes报道，三星新一代Z-NAND的性能目标是最多提升15倍，同时开发了一项允许GPU直接访问Z-NAND存储设备的新技术（类似于微软的DirectStorage API）。
据报道，三星存储业务的高级副总裁表示，Z-NAND的目标性能最多提升15倍，同时功耗比传统NAND闪存降低80%。新版Z-NAND据称专为AI应用设计，特别是AI GPU，重点在于将延迟降至比前代更低的水平。
三星采用了一项名为“GPU启动直接存储访问”（GIDS）的新技术来实现这一目标，该技术将集成到下一代Z-NAND闪存中。GIDS允许GPU直接访问Z-NAND存储设备，绕过CPU和DRAM，显著减少访问时间和系统延迟。
Z-NAND最初于2010年代中后期推出，是三星对标英特尔3D XPoint Optane存储技术的产品。这两种存储技术都引入了新型固态存储层，其行为类似传统SSD，但系统延迟更低、性能更优，几乎接近DRAM。
虽然英特尔的3D XPoint Optane与传统NAND闪存完全不同，但三星第一代Z-NAND本质上是基于改良版V-NAND设计的超强版NAND SLC SSD，采用48层结构并以SLC模式运行。第一代Z-NAND的关键升级是缩小了页大小至2-4KB，这使SSD能以更小的数据块读写，从而提升速度并降低系统延迟。相比之下，普通SSD通常使用8到16KB的页大小。
当时，采用英特尔Optane技术和三星Z-NAND的驱动器比同期传统SSD快6到10倍。如果三星的目标得以实现，其下一代Z-NAND技术将比当今NVMe SSD快15倍。随着PCIe 6 SSD即将问世，传统SSD也在提速，因此成本将成为未来Z-NAND版本面临的问题。但只要AI硬件热潮持续，三星很可能不愁找不到客户。
