SK海力士将以溢价向英伟达供应HBM4存储芯片。该公司作为首批量产该型号存储芯片的厂商，已为人工智能产业提供成熟解决方案。
SK海力士的HBM4高价策略主要基于两点：采用台积电4纳米制程技术，以及其市场首发优势。随着高性能存储芯片领域即将迎来新一轮人工智能热潮，业界认为HBM4将对下一代AI计算硬件发展起到关键作用。由于该技术首次实现逻辑芯片与存储芯片的集成封装，韩国媒体报道称，SK海力士计划将HBM4定价较HBM3E提高70%——这既源于成本上升，更得益于其与英伟达供应链的独家合作关系。
据7月4日行业消息披露，SK海力士上半年向英伟达提供的12层堆叠HBM4芯片单价约为500美元，较此前300美元定价的12层HBM3E产品溢价达60%-70%。
作为英伟达的首批HBM4供应商，SK海力士成功在三星和美光等竞争对手中占得先机。该公司目前独家为英伟达Blackwell Ultra平台供应12层HBM3E存储堆栈，这一优势使其在HBM4价格谈判中获得主导权。但需注意的是，台积电4纳米基础晶圆的采用也显著增加了HBM4的制造成本。
高价策略或将给三星和美光带来市场竞争机会。要维持存储芯片市场的领导地位，SK海力士需采取更多举措。值得关注的是，三星近期在1c DRAM技术领域取得重大突破，凭借自有半导体产线，极有可能通过HBM4产品切入英伟达供应链，这对SK海力士构成严峻挑战。此次HBM4市场竞争的激烈程度显然将远超以往。
