Exynos 2600目前处于原型生产阶段，三星正利用其2纳米GAA制程技术为这款即将推出的旗舰级片上系统（SoC）带来性能和能效的新突破。鉴于过往产品即使采用智能手机的均热板设计仍存在持续过热问题，最新报告显示这家韩国制造商将采用名为“热传导阻断层”（Heat Pass Block，简称HPB）的技术来改善散热表现，使Exynos 2600发挥最佳性能。
这项HPB技术本质上将作为Exynos 2600的散热装置，通过优化热管理使SoC能够更长时间维持最高运行频率。此前三星Exynos系列的芯片结构是将DRAM内存直接堆叠在SoC上方。据ETNews报道，新一代设计将在Exynos 2600上同时集成HPB和DRAM，新型散热结构将显著提升热传导效率。此外，三星还将应用扇出型晶圆级封装（FOWLP）技术，在增强耐热性的同时提升多核性能表现。
该封装技术最初应用于Exynos 2400，现计划引入Exynos 2600以确保其能跟上骁龙8 Elite Gen 2和天玑9500的竞争节奏。近期Geekbench 6测试数据显示，Exynos 2600最高主频达3.55GHz，仍落后于天玑9400+搭载的Cortex-X925核心。
通过HPB和FOWLP技术的协同作用，Exynos 2600有望在控制温度的同时实现更高运行频率，从而提升单核与多核性能。众所周知，温度升高会导致性能衰减，不仅影响设备握持体验，还会加剧电池负荷甚至引发爆燃风险，如同潜在的安全隐患。
若三星2纳米GAA制程能达到理想良率，Exynos 2600或将于今年底正式发布，正好赶在2026年初Galaxy S26系列亮相之前完成部署。
