铠侠（Kioxia）与闪迪（SanDisk）已开始第九代BiCS FLASH存储芯片的样品交付。这项NAND闪存技术融合传统架构与现代优化，旨在为当前BiCS8与未来的BiCS10之间架设过渡桥梁。尽管BiCS10预计通过332层堆叠设计实现更高容量，但BiCS9采用更具成本效益的方案，专为AI工作负载企业级SSD及注重效能平衡的中端存储解决方案打造。
BiCS9的核心突破在于其混合架构——通过晶圆直接键合（CBA）技术，将逻辑单元与存储单元分别在优化条件下制造后键合为高性能封装。该技术使铠侠能将成熟的112层BiCS5或218层BiCS8存储结构与现代I/O接口灵活组合，最终实现最高3.6Gb/s的Toggle DDR 6.0传输速率，实验室环境下峰值可达4.8Gb/s。
尽管层数少于BiCS8和BiCS10，BiCS9仍带来显著提升：相比前代512GB TLC设计，写入性能提升61%，读取速度提高12%，写入能效优化36%，读取能效改善27%。位密度增加8%则进一步体现了其通过精密工程实现性能与成本平衡的设计理念。
铠侠的技术路线图将BiCS9定位为过渡产品，旨在为更复杂高密的BiCS10架构提前打磨制造工艺。这一策略尤其契合AI浪潮下对低延迟、高能效存储方案的迫切需求。与三星、美光等竞争对手激进堆叠层数的路线不同，铠侠通过混合架构加速产品上市并优化成本效益。与消费级存储巨头闪迪的合作，更强化了其NAND技术发明者的研发优势。
自2006年成立合资企业以来，铠侠与闪迪已共同开发多代3D NAND技术。BiCS9标志着双方在行业标准制定上的最新突破——结合日本精密制造与闪迪的市场积淀，持续推动存储技术的性能边界。
