据Digitimes报道，长鑫存储（CXMT）为提升产品质量，不得不将DDR5内存芯片的大规模量产计划推迟至2025年底。不过最新测试表明，该公司DDR5芯片质量已接近台湾南亚科技（Nanya）的水平。随着良率提升、质量改进以及产能扩张，这家中国大陆DRAM制造商不仅让台湾小型厂商感到压力，更令全球行业巨头警惕其市场冲击力。
去年底长鑫存储突然启动DDR5试产，业界曾担忧其会以低价策略冲击市场。后经披露，该公司采用第四代DRAM工艺制造的16GB DDR5芯片比三星同规格产品大40%，导致生产成本显著提高。更严峻的是，2025年初的测试暴露出其在60℃高温和零下低温环境下的稳定性缺陷，迫使公司重新设计芯片并制作新光罩——这一昂贵调整虽解决了温域问题，却导致量产计划延期。
知情人士透露，长鑫存储原定2025年5-6月实现量产，但截至7月仍未启动。目前其生产线良率仅略超50%，远低于DRAM行业标准。供应链消息指出，该公司需进一步优化工艺积累经验方能达到行业平均良率，这将使大规模量产推迟至2025年末。
最新测试显示，长鑫存储DDR5模块质量已取得突破性进展。若通过主流PC厂商认证，将标志其与老牌DRAM供应商的差距正在缩小。但TechInsights分析指出，该公司采用的第四代工艺（约16nm制程）相当于三星2021年初的第三代10nm级技术，导致16GB DDR5芯片制造成本居高不下。
更严峻的挑战来自美国2022年出口管制新规——禁止向中国大陆出口或维护18nm以下DRAM生产设备。由于长鑫存储产线设备国产化率仅约20%，若美欧日供应商中断设备维护与零部件供应，其良率提升与产能扩张将面临重大阻碍。
作为国家支持的半导体自主化战略企业，长鑫存储展现出不同于商业公司的扩张魄力：摩根士丹利数据显示其2024年月产能已达17万片300mm晶圆，计划年内提升至24万片，Digitimes更预测2025年底将达28万片。尽管面临技术封锁风险，凭借政府资金支持，这家中国DRAM制造商仍被视为全球市场最具潜力的颠覆者。
