由中芯国际采用7纳米工艺制造的麒麟9000S芯片震撼半导体行业，标志着中国已具备与美国技术抗衡、缩小两国技术差距的实力。去年曾有报道称中芯国际成功研发5纳米制程，但出人意料的是，华为最先进的系统级芯片仍采用上一代7纳米光刻技术。不过若爆料者消息属实，这一局面或将改变——据称中国最大半导体制造商的5纳米良率已达60%-70%，但该数据尚未获得普遍认可。
最新传言指出，中芯国际5纳米良率与三星3纳米GAA技术相当
微博爆料账号Fixed Focus Digital透露上述良率数据，暗示中国晶圆制造或将迈入新阶段。其声称该良率水平接近三星为Galaxy Z Flip 7搭载的Exynos 2500芯片所采用的3纳米GAA工艺。然而业界对此反应两极，部分人士直接质疑数据真实性。
例如推特用户@Jukanlosreve援引中国匿名消息源称，此传闻纯属捏造。需注意的是，该用户此前披露中芯国际计划2025年完成5纳米芯片开发，但因使用旧款DUV设备而非必需的EUV光刻机，预估成本将增加50%。
考虑到中芯国际的新版5纳米技术路线图，业内人士对传闻持疑并不意外。目前华为搭载HarmonyOS的笔记本电脑所用X90芯片仍采用7纳米工艺。鉴于70%良率才具备商业化量产条件，爆料者说辞需谨慎看待——毕竟中芯国际尚未凭此所谓突破产出任何实质性成果。
值得期待的是，中国自主研发的EUV设备据报已进入测试阶段，预计2025年第三季度启动试生产。与华为关系密切的SiCarrier公司近期融资28亿美元，旨在挑战ASML推动国产EUV设备落地。即便中芯国际在5纳米自主研发中面临资源瓶颈，未来仍可借助第三方设备生产更尖端晶圆。
