作为中国领先的NAND闪存制造商，长江存储科技有限责任公司（YMTC）自2022年底被列入美国商务部实体清单后，基本无法获得先进晶圆厂设备。据DigiTimes报道，尽管面临制裁与限制，该公司仍计划今年扩大产能，目标到2026年底占据全球NAND闪存产量的15%，并建设一条完全采用国产设备的试验生产线。
产能规划：月产15万片晶圆
数据显示，长江存储原计划在2024年底实现月产13万片晶圆（约占全球NAND供应量的8%）。虽然从ASML、应用材料、科磊和泛林集团等巨头采购设备的能力严重受限，该公司仍计划将产能提升至15万片/月。今年初，其搭载232层有效堆叠（总层数294层）的X4-9070 3D TLC NAND已进入量产阶段——该第五代产品通过键合150层与144层结构实现总层数突破。
层数增加意味着单位晶圆的存储位元产出提升，但该策略能否助其在2026年实现市场份额翻倍仍存疑。
逆势扩张的技术路线
当全球NAND厂商因需求疲软纷纷减产时，长江存储正加速推进位元增长。除已量产的1TB 3D TLC X4-9070（接口速率3600 MT/s）外，今年还将推出3D QLC X4-6080（预计沿用294层工艺）。2025年计划发布2TB容量的X5-9080 TLC与X5-6080 QLC（接口速率4800 MT/s），为高性能大容量SSD奠定基础。
下一代技术节点或突破300层，需键合三个3D NAND结构。这将延长晶圆加工周期，虽降低月投片量，却能显著提升位元产出。
国产化试验线的挑战
美国2022年出口管制禁止向中国实体出售128层以上3D NAND设备，但无法限制长江存储采用堆叠技术。被列入实体清单后，该公司获取美系设备需经特别许可。据透露，其计划在2025年下半年启动全国产设备试验线，这标志着中国减少半导体设备依赖的关键一步，但完全替代目前仍被业界视为不可能完成的任务。
分析师预计，2025年长江存储将满足中国30%的NAND需求，但国产设备较低的良率可能制约产出。若试验线成功，到2026年底其位元产出或翻倍，推动全球份额超15%。不过该试验线主要用于验证设备性能，非大规模生产。
半导体设备国产化领军者
摩根士丹利数据显示，长江存储设备国产化率达45%，远超行业平均水平。其供应链包括中微公司（AMEC）的刻蚀与化学气相沉积设备、北方华创（Naura）的刻蚀/CVD设备，以及拓荆科技（Piotech）的原子层沉积设备。但关键的光刻机仍需依赖国产最先进的上海微电子（SMEE）SSX600（当前支持90nm制程）。
相较之下，中芯国际北京厂国产化率仅22%，上海厂为18%；华虹宏力与长鑫存储（CXMT）均维持在20%。通过长江资本的隐秘投资，多家本土设备材料商已纳入长江存储生态链，但完全去美化目标短期内仍不现实。
