目前，三星和台积电（TSMC）是半导体行业中仅有的两家致力于2纳米工艺晶圆量产的企业。不过，第三家公司正试图缩小这一差距，尽管它将比竞争对手落后整整一年。
据悉，日本企业Rapidus近期已启动2纳米全环绕栅极（GAA）晶圆的试生产。最新消息显示，该公司已建成一座配备200台设备的工厂。值得注意的是，Rapidus的进展不会受到美国出口管制的阻碍，这意味着该公司很可能获得最先进的设备来实现2纳米GAA晶圆的大规模生产。
Rapidus正在其新建的IIM-1晶圆厂开展2纳米GAA光刻技术的原型量产。作为日本首批引入极紫外（EUV）光刻机以量产2纳米及以下工艺晶圆的企业之一，Rapidus希望引领该地区的半导体制造前沿。通过采用其独有的单片式前端处理技术，该公司可对单个晶圆进行调整，并将优化方案应用于其余批次，从而节省数百万美元成本。
得益于这一技术路径，单片式前端处理能够捕获更多数据，用于训练人工智能模型并优化生产流程，进而提高良率。令人瞩目的是，Rapidus在短短数年内便取得如此成就：2023年9月进军先进半导体制造领域，2024年完成无尘车间建设，2025年6月便安装了200台全球最尖端的晶圆生产设备。
Rapidus正在开发与其IIM-1晶圆厂2纳米工艺兼容的工艺设计工具包（PDK），预计2026年第一季度向客户开放。届时客户可立即启动自主设计的原型验证，而Rapidus计划于2027年启动量产。相较三星和台积电，这家日本企业的入局时间稍显滞后。但考虑到全球仅有三家企业专注于2纳米制造领域，Rapidus实质上已跻身顶级俱乐部之列。
