一系列复杂因素迫使三星推迟了其下一代1.4纳米制程的量产计划，但这并不意味着这家韩国晶圆代工巨头的失败。据报道，三星计划在两年内实现第三代2纳米制程的量产，相较第二代技术将带来全方位的性能提升。考虑到持续追逐更先进制程可能带来的技术风险，三星当前的战略重点转向优化现有技术——包括提升良率及与台积电的竞争力。
光学微缩技术加持
第三代2纳米制程将采用名为“光学微缩（Optic Shrink）”的新工艺，性能较现有技术提升20-30%。在7月1日举行的三星合作伙伴技术论坛（SAFE）上，该公司展示了这项通过光学微缩技术改造第二代2纳米节点（SF2P）实现的突破。据爆料人@Jukanlosreve向ZDNet提供的细节，尽管未明确对比基准，但更先进的SF2P+工艺确实能带来上述性能跃升。
除推进第三代技术外，三星此前已完成第二代2纳米制程的基础设计，目标在明年实现量产。对于暂缓1.4纳米节点开发的决策，三星发言人表示公司现阶段更注重通过稳定良率来优化现有制程，而非盲目追逐技术迭代。
三星晶圆代工与LSI部门正紧密合作，为即将推出的Exynos 2600处理器进行原型试产。这款采用2纳米GAA晶体管架构的芯片，当前良率目标设定为50%，预计年底前将实现显著提升。另有消息称，基于三星2纳米GAA技术试产的骁龙8 Elite Gen 2定制版（代号Kaanapali S）可能成为Galaxy S26的独占处理器。
从现有进展来看，三星的技术路线已初见成效，但对其市场地位的评估仍为时尚早。今年晚些时候，随着首批2纳米GAA芯片的正式面世，业界将获得更清晰的判断依据。
