三星在第一代2纳米GAA（全环绕栅极）制程上取得的进展表明，这家韩国巨头正在晶圆代工领域逐步收复失地，未来几年甚至可能对台积电（TSMC）构成实质性挑战。最新报道显示，该公司已完成第二代2纳米GAA节点的基础设计，该技术将用于大规模生产下一代Exynos处理器等多元应用领域。
制程良率稳步提升
第一代2纳米GAA的良品率正持续改善。若第二代节点按计划推进，三星或将其应用于Exynos 2700芯片研发。据韩国媒体ZDNet报道（消息源@Jukanlosreve披露），这项代号SF2P的技术承载着三星重振代工业务竞争力的战略意图。目前Exynos 2600原型芯片已进入量产阶段，三星LSI部门和半导体事业部计划在未来数月实现50%的良率目标。
性能全面提升
第二代2纳米GAA节点计划于明年启动量产。相较于初代技术，SF2P制程可实现12%的性能提升、25%的功耗降低以及8%的芯片面积缩减。虽然报道未披露具体客户名单，但业界推测高通（Qualcomm）可能成为潜在合作伙伴。
值得关注的是，高通专为Galaxy S25系列定制的Snapdragon 8 Elite Gen 2芯片或将采用三星2纳米GAA晶圆代工，这意味着这家圣地亚哥芯片制造商可能重启与三星、台积电的双源供应策略。当前行业焦点仍集中于第一代2纳米GAA技术的竞争态势，这种良性角逐将推动晶圆代工巨头持续突破技术极限。
