据传，三星电子此前未能获得高通任何骁龙8 Elite Gen 2芯片订单，这款旗舰芯片组将完全由台积电采用3纳米N3P制程代工。但转机或已出现——代号为“Kaanapali S”的骁龙8 Elite Gen 2衍生版本可能采用三星2纳米GAA技术。最新报道称该芯片组已进入试产阶段，随着三星良率逐步提升，高通双代工策略有望实现。
采用三星2纳米GAA工艺的骁龙8 Elite Gen 2或于2026年第一季度量产，但该版本可能为Galaxy S26系列独占。
三星电子在2025年第一季度财报会议中强调，正全力提升2纳米GAA良率稳定性，计划2025年下半年开始接单。据悉该公司已启动Exynos 2600原型芯片量产，目标在未来数月将良率提升至50%。这一进展引起高通对2纳米GAA技术的关注。据《商业邮报》及爆料人@Jukanlosreve汇总信息，骁龙8 Elite Gen 2将推出两个版本。
基础版本采用台积电3纳米N3P制程，另一版本则使用三星2纳米GAA工艺（后者良率近期已突破40%）。该定制版芯片目前正处于测试生产阶段，若通过验证，将于2025年下半年启动量产准备，2026年第一季度正式投产。虽然当前三星晶圆月产能尚未公布，但按近期进展推算，年底前产能将显著提升。
尽管台积电已于4月1日启动2纳米技术接单，在先进制程竞赛中暂时领先，但三星电子有望通过首发同级工艺实现反超。市场期待这家韩国科技巨头能把握此次机遇，缩小与台积电的市场份额差距。
