美光科技（Micron）本周在投资者与财务分析师电话会议上宣布，已开始向客户提供基于新一代1γ（1-gamma）制程工艺的首批LPDDR5X内存样品。该技术首次采用极紫外光刻（EUV）技术，新器件在能效表现上更为出色，但更重要的是，这标志着美光正式迈入EUV光刻DRAM量产时代。
美光首席执行官桑杰·梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）表示：“我们的1γ DRAM技术节点进展远超预期，良率爬升速度甚至快于此前创纪录的1ß（1-beta）节点。本季度我们完成了多项关键产品里程碑，包括首批基于1γ工艺的LPDDR5 DRAM认证样品出货。”
作为美光第六代10纳米级制程技术，1γ工艺相较前代1β技术可实现DRAM芯片功耗降低20%、性能提升15%，同时位密度提高30%。这一重大升级意味着，当新DRAM达到与1β器件相当的良率时，生产成本或将实现同比例下降。
值得注意的是，美光此次推出的1γ工艺LPDDR5X芯片并非该公司首款采用该技术的产品。今年早些时候，美光已发布16Gb DDR5-9200芯片，承诺较前代产品兼具更高性能与更低功耗，但本周未透露该产品的样品进度。根据规划，美光将在DDR5、LPDDR5X（现支持10.7 GT/s速率）、GDDR7及数据中心专用产品线全面部署第六代10纳米级DRAM技术。“我们将通过全系DRAM产品搭载1γ技术，充分释放这一领先工艺的优势。”梅赫罗特拉强调。
美光成为最后一家引入EUV光刻技术的DRAM巨头。虽未公布具体EUV应用层数，但该技术很可能仅用于最复杂的关键层，以替代耗时的多重曝光工艺。1γ制程仍采用EUV与传统深紫外（DUV）多重曝光混合方案，同时引入升级版高k金属栅极及重新设计的后端布线（BEOL）结构。目前美光在日本量产1γ DRAM（其首台EUV设备于2024年投产），并计划在日本和台湾地区同步扩充EUV产能。
