英特尔最近详细介绍了其下一代18A制程节点，该节点将取代现有的Intel 3制程，在时钟频率和电压调节方面实现显著提升。在2025年超大规模集成电路技术与电路研讨会上，英特尔进一步强调了18A制程的特性——这款采用RibbonFET（全环绕栅极）和PowerVia（背面供电）技术的先进工艺，相比Intel 3可实现超30%的密度提升及完整制程节点的性能进步。
18A制程的核心突破在于RibbonFET与PowerVia两大技术：前者作为FinFET技术的革新迭代，通过带状晶体管结构显著改善栅极静电特性，在单位面积内提供更高效的有效宽度，同时降低寄生电容并增强设计灵活性；后者采用背面供电方案，通过分离优化电源与信号布线实现：
逻辑密度提升
标准单元利用率优化
信号电阻电容降低
电压降现象减少
设计自由度扩大
技术参数亮点
高性能/高密度库高度：180/160纳米
接触多晶硅间距：50纳米
金属零层间距：32纳米
高密度SRAM单元面积：0.021平方微米
正面金属层配置：10层低成本/高密度方案，14-16层高性能方案
背面金属层配置：3+3层堆叠
性能表现方面
18A制程在同等功耗下较Intel 3提升超15%性能。1.1V电压工况下频率提升约25%，在低于0.65V的低压环境中更能实现38%的能耗优化。这些进步源于：
RibbonFET晶体管结构优势
背面供电技术突破
正面互连优化
工艺与设计协同优化
密度方面
借助背面供电技术，18A制程实现较Intel 3最高39%（平均约30%）的密度提升，单元利用率提高8-10%，同时将最坏情况下的电压降降低十倍。SRAM存储单元密度亦提升30%，高密度版本达到0.0210平方微米。
值得注意的是，英特尔已规划2026-2028年间推出18A-P和18A-PT等迭代版本，这些衍生节点在2025年Direct Connect大会上首次披露，预计将被客户广泛采用于芯片生产。即将面世的消费级“黑豹湖”（Panther Lake）处理器及服务器专用“清水湾”（Clearwater Forest）至强处理器将成为首批采用18A制程的产品代表。
