美光（Micron）本周宣布，已开始向核心客户送样下一代HBM4内存。这款面向新一代AI和HPC处理器的内存模组拥有36GB容量，可提供2TB/s的超高带宽。
美光首批HBM4样品采用12层堆叠设计，集成36GB内存容量，配备2048位超宽接口，数据传输速率约达7.85 GT/s。该样品采用美光1ß（1-beta）制程工艺生产的24GB DRAM芯片，并搭载台积电（TSMC）12FFC+（2纳米级）或N5（5纳米级）逻辑工艺制造的基础逻辑芯片。
相较之下，美光当前世代HBM3E内存虽同样支持36GB容量，但仅配备1024位接口和9.2 GT/s传输速率，峰值带宽为1.2TB/s。这意味着新一代HBM4实现了超过60%的带宽提升，同时能效比提高达20%。此外，美光HBM4还内置内存测试功能，可简化合作伙伴的系统集成流程。
作为业界首家启动HBM4样品交付的DRAM制造商，美光预计三星（Samsung）和SK海力士（SK hynix）等竞争对手将很快跟进。各大内存厂商计划于2026年开始HBM4的量产，届时领先AI处理器开发商也将启动新一代产品的批量生产。
预计英伟达（Nvidia）代号“Vera Rubin”的数据中心GPU将成为2026年末首批采用HBM4的产品之一，但采用该内存的AI和HPC处理器远不止于此。美光云内存事业部高级副总裁兼总经理拉吉·纳拉辛汉（Raj Narasimhan）表示：“HBM4在性能、带宽和能效方面的突破，印证了我们在内存技术和产品领域的领导地位。基于HBM3E部署取得的卓越成就，我们将通过HBM4及丰富的AI内存存储解决方案持续推动创新。HBM4的量产节点将与客户下一代AI平台开发进度保持同步，确保无缝集成和快速上量。”
