中国创新内存技术企业长鑫存储（CXMT）正积极通过完成LPDDR5X内存的研发阶段，来缩小与三星（Samsung）的技术差距。这一进展显然引起了三星存储部门的警觉，最新报告显示，这家韩国巨头已全力投入研发下一代LPDDR6内存芯片，据称该产品将在提供更高带宽的同时实现更低功耗。
据报道，更新的LPDDR6内存标准将在三星“1c DRAM”工艺上实现量产，此举将确保该公司对中国竞争者保持显著优势。长鑫存储已于今年启动LPDDR6内存芯片研发，行业观察家推测，按照当前进度，这家中国制造商最早可能在2026年实现全面量产。不甘落后的三星随即加速了自身LPDDR6内存技术的开发进程，其优势在于该内存芯片将采用该公司先进的“1c DRAM”制程工艺。
基于上述架构的量产能力，三星将对中国同行形成实质性技术壁垒。LPDDR6内存预计将成为人工智能、移动计算、机器人及自动驾驶等领域的核心组件。DRAM量产技术分为多个代际，“1x”代表初代工艺，而“1c”已是第六代技术，每一代突破都能帮助企业跨越性能与能效的既有天花板。
据传高通（Qualcomm）将成为首家采用三星LPDDR6内存芯片的客户，其即将发布的骁龙8 Elite Gen 2旗舰平台据称将直接支持这项技术，该SoC预计在9月23日开幕的骁龙技术峰会上亮相。虽然报道未提及其他潜在客户，但鉴于LPDDR6内存的卓越特性，预计更多厂商将很快跟进下单，这将使三星相对长鑫存储保持显著领先优势。
